樣品名稱：掩膜版測(cè)試要求：粗糙值

1.未加工（區(qū)域一）掃描范圍5*5μm

粗糙度（Sa）：120.9pm注：1納米（nm)=1000皮米(pm)

即：粗糙度（Sa）：0.1209nm

樣品名稱：掩膜版測(cè)試要求：粗糙值

2、加工（區(qū)域一）掃描范圍5*5μm

粗糙度（Sa）：56.28pm注：1納米（nm)=1000皮米(pm)

即：粗糙度（Sa）：0.05628nm

結(jié)論：從上述測(cè)試中可以看出，兩塊掩膜版，加工后的掩膜版比未加工的掩膜版粗糙度值更

小，也就是說加工后的掩膜版表面更光滑。

0.056nm已經(jīng)接近原子力顯微鏡的縱向掃描分辨率的極限.我方曾測(cè)試過的上海新昇半導(dǎo)體的12吋晶圓樣品，表面粗糙度值在60-65pm之間，它的粗糙度也只是0.06nm。可以看出，相對(duì)于晶圓，掩膜版的表面更光滑平整。

另外，原子力顯微鏡的掃描范圍是可以設(shè)置的，此次掃描范圍設(shè)置為5μm*5μm。